晶体管被誉为20世纪最伟大发明之一，是现代电子设备的核心元件。然而，随着电子产品不断微型化，硅基晶体管的尺寸缩减已接近极限。日本东京大学工业科学研究所的研究团队提出了一种创新解决方案——采用镓掺杂氧化铟（InGaOx）材料制造晶体管，有望突破硅基技术的瓶颈。

这种新型晶体管采用“全环绕栅极”结构，即控制电流开关的栅极完全包裹沟道，从而显著提升效能与可微缩性。氧化铟本身存在氧空位缺陷，容易导致载流子散射，影响器件稳定性。研究团队通过镓掺杂抑制氧空位，大幅提高了晶体管的可靠性。