在制造工艺上，团队利用原子层沉积技术，逐层在沟道区域沉积InGaOx薄膜，并通过加热处理使其形成有序的晶体结构，最终成功制备出的“全环绕栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）”。测试表明，这种新型晶体管的电子迁移率达到44.5 cm²/Vs，并在持续近三小时的压力测试中保持稳定，性能优于以往同类器件。

这项研究为高密度、高可靠性的电子元件开发提供了新思路，尤其适用于大数据、人工智能等高算力需求的领域。未来，这种新型晶体管有望推动下一代电子技术的发展，深刻改变人们的生活。