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英特尔在18A工艺上取得进展 超越三星的2nm但仍落后于台积电

2025-07-14

英特尔阵营终于传来好消息,据报道,18A 工艺的良率已高于竞争对手目前的水平,良率足以在 2025 年第四季度实现 HVM,并首次与 Panther Lake SoC 集成。

根据KeyBanc Capital Markets 的分析,一份研究报告声称,英特尔 18A 节点的开发进展迅速,其良率高于三星的 SF2,但落后于台积电的 N2。这表明英特尔有望在今年年底前实现大规模量产。

我们持续收到关于英特尔 18A 工艺的建设性反馈,并获悉目前的良率已从上一季度的 50% 提升至 55%。相比之下,三星的 2nm 工艺 (SF2) 良率约为 40%,略有提升,但低于台积电的 N2 工艺,后者的良率目前为 65%。

在现阶段,良率的稳步提升对英特尔至关重要,尤其是在18A工艺更专注于Panther Lake等内部产品的情况下;因此,英特尔必须确保这一阶段的顺利完成。谈到PTL,KeyBanc指出,英特尔有望实现下一代移动CPU的18A量产,预计到2025年第四季度良率将达到70%。虽然英特尔的良率预计不会超过台积电,但拥有一个强大的节点对英特尔来说已经足够了。

英特尔 18A 工艺节点的未来前景一直存在不确定性,但该公司内部的使用足以证明该工艺的成功。英特尔计划先以 18A 工艺在尖端领域站稳脚跟,然后再以 14A 工艺向外部客户转型。这一决定将使他们能够在市场上推出更具竞争力的产品,并有可能与台积电的 A14 展开竞争。我们仍在等待 Panther Lake 在消费级市场的表现。

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